基线漂移≤30μv/15min,噪音≤10μv。温度控制:~350℃±0.1℃,程序升温速率0.1~25℃/min,灵敏度 TC—1热导池 S值≥2800mv.ml/mg(苯) FID敏感度 Mt≤1×10—11 g/s(十六烷烃)